内存小参对集成显卡性能的影响

下午跟石头聊天，石头跟我提了一下内存小参对集成显卡影响的问题。我觉得这个问题挺有趣，吃了晚饭6点开始就着手测试
1X:j8nu6MSC0 玩家俱乐部@4P6uEz*j
因为对集成显卡影响最大的是HT频率而非U频率（经过之前多位网友测试），故外频只设为270。
%[;k4|xEi[(aa F0 此时SP2800主频为2161，HT频率1080，内存720，参数调节软件是Memset 3.2，3D测试软件是3Dmark03玩家俱乐部0q+@gE6zFvA

k,I2`g1NC)@r0 在测小参之前，还是要测一测大参，毕竟影响最大的还是大参。玩家俱乐部qg6l:vu
大参顺序为tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR玩家俱乐部S4Jk;W3} ZX
玩家俱乐部i^!F%Y&u\J%g7Bg+c4AU
最开始的默认参数是5-5-5-18 2T，此时成绩是1341（设为初始值）
.c8Jt#j:w2F0 玩家俱乐部!I'otQ^"Q OIh#W'_
第二次设置的参数是优化参数4-4-4-8 1T，成绩提高到了1389，提高48分
@!kAb1m{U0
,SUC:B p3x~6r&Um0 然后再试一试CL值的影响。在4-5-5-18 2T下，成绩为1355，与初始值相比提高14分玩家俱乐部}$C#V#Q*Ff
玩家俱乐部MB.~9G#JD#I
其他大参的单独影响就没测（实在是太费时间了…… ）玩家俱乐部$RRI(B@:{)|9S7o7m
玩家俱乐部U7AHIc1oE
下面是重点的小参。
L3lBI;V
~0
8_0h;l|%O,z@9n0 根据Memset3.2界面显示，小参有如下选项玩家俱乐部'T*fR5jgW8bp6t]
玩家俱乐部4z#v_}%S%[x
Row Cycle time(tRC)   
"Zn6gU7],Fh(o0N0 调节范围：11~26
2{"x7Ew._ALW0 此参数用来控制内存的行周期时间，决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是tRC=tRP+tRAS
9a5s5pTT0
Hh` ~ g
a0 Refresh Mode Select   
+H$B+{/Rm0 调节范围：3.9/7.8/15.6us
(rm&j9t,WAI:OYu0 中文名称刷新模式选择。由于DRAM保存的内容需要不断刷新才能够保持，因此延长刷新间隔可以提高内存的性能。玩家俱乐部T7Z#Du xa z;h
默认值为7.8us，选择15.6us会提高性能玩家俱乐部7[|,Tj\M

?fo5BJ)W1ja0 Ras# to Ras# Delay (tRRD)玩家俱乐部fL X#@8y?{1X
调节范围：2~5
xiXW2b-v:A9gMo0 此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电实现。延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。玩家俱乐部0?F%KJnS:vq(V

/i.~I3}mo0 Read to Precharge  (tRTP)玩家俱乐部9n;u&[%}iOv
调节范围：2~3玩家俱乐部3a@,AUHI5P
内存预充电时间（在网上没找到更全的介绍，有知道的朋友请指教 ）
'`q$UNFr6RK0 玩家俱乐部__ kR's$t
Idle Cycle Limit
r\$},?F
Q(Mw0C0 调节范围：0、4、8、16、32、64、128、256
K)g"a8m4Iw;nF0 此参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重新充电的最大时间
v8R*JIjga1x)Q
b0
eJ&F~z2K.ro;H0 Write Recovery time (tWR)玩家俱乐部ZPB AP-`7^.f n(bc
调节范围：3~6
Cjclq8Kr0 此参数表示在一个内存BANK被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。此延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电。
!Ka v]d3C/w)Y(g8w0 玩家俱乐部keJ3AG;[Y%Q*cO
Write to Read Delay (tWTR)
/u$rk$O4y/V$@2?0 调节范围：1~3
-r&I/_$_${0n2Xy m%G0 此参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期
8^@;NJ4K rc)?!X S0
s%dn?6d'~a i3[0 Read to Write Delay (tRTW)玩家俱乐部+G]6j]#B"vGj{$\j
调节范围：2~9
%| h/wv f0 此参数不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。
^Hd4W"ME0 玩家俱乐部s!z|6UE3D
Read/Write Queue Bypass玩家俱乐部:}IG.\Mn
调节范围：2x/4x/8x/16x玩家俱乐部nw E9kphJ
此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间。默认值16X为性能最好参数。
6U7qf6d Z&DK/{._0 玩家俱乐部.N2T_#t4P p6n^lG^"Z
Queue Bypass Max玩家俱乐部/s7N|u*u+S6q ]
调节范围：1~15玩家俱乐部g"g-p$B+e^ke@
此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que）的迂回时间。貌似这个参数会影响内存到CPU的连接。
!h C)I.B_0
4n stt7p4N0 Max. Asynchrone Latency
*ZWVI@w0 调节范围：1~15us
U6n+PL#aZkuG3U*^6p5A0 还没有任何关于此参数的说明
k"~IAC0
&\8^2nFCs0 以上均摘自远望资讯出版的《超频特辑》
\!Tm'T3OS3d5ZJ ?0 估计有些朋友看着该眼晕了吧，说实话我也眼晕 ，而且还没吃透。不过为了测试，也得看着。玩家俱乐部}7IKD)kC
玩家俱乐部h@/S1yL$L
不过这么多小参，逐个测了一遍，发现对3D性能有影响的只有三个参数：tRC、tWR和tRTW。
"PQrY,S,||4e0 小参测试时大参设定为4-4-4-8 1T，此时的基础分数为1389。
!`,G\*u(f[0f,b{0 玩家俱乐部&[.Qsj
B^7A
tRC从默认的26设为12，成绩涨到了1420，增加分数31分。与最开始的初始值1341比较，更是增长了79分
K5En:vF1dyR5C.@T0 可以看出，此参数影响巨大，强烈建议大家调整此参数
W"J Bc.n'U0 玩家俱乐部TI4_6xI5D7an
在tRC=12的基础上，把tWR从默认的5设为3，成绩为1425，提高了5分
F8|zh[Wi
nz0
H2t%UA8zZ0 而tRTW有点意思，在只更改此参数的情况下（由4设为3），成绩没有任何提高，而在tWR=3的基础上调整为3时，达到了1429分，整体提高了9分。原以为是误差，就又测了一遍，还是如此。应该是这两个参数有内在联系吧。
T&Hwh(C0 玩家俱乐部\3SS [3` [{M
可以看到，小参中除了tRC以外对3D的影响并不大，所以如果想改善集成显卡的3D性能，除了调整那些大参以外，也留意一下tRC吧，调整调整会带来一点看得到的改善呢（分数上的 ）玩家俱乐部6u M'e(mdu
h.y;Y
玩家俱乐部&t+U0h!e)k.}:@
至此，经过一番优化，分数从最开始的1341提高到1429，总增长88分（数字到挺吉利的）
1r2F]c dk*KD1n0 作为对比，给大家个参考（下面的分数是GPU频率475时的分数，此帖是在425的情况下）：玩家俱乐部d"c#L/G`%O};M

Ob"N:J'K {0 CPU频率      HT频率     内存频率    03分数
TqT^6q"g)sm0   2000          1000         667         1449玩家俱乐部 }4U9G(cw0y
  2800          1050         700         1530玩家俱乐部 IxZ3C:I"_
As v]cQ
怎么样，稍改改内存比超U来得省事儿吧，而且还省电
Sb6}4x.D9A7y0 下面上两张图，一个是初始值，一个是最优化后的分值。至于其他过程中的图，用上面的文字就能想像了
pzA J[2S6\N0
j#U:l2N#I w8p0 [ 本帖最后由 Star_Sea 于 2007-6-20 21:55 编辑 ]
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K-{ \sX+mx3B9G!e0玩家俱乐部IK:P P
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