内存小参对集成显卡性能的影响

下午跟石头聊天，石头跟我提了一下内存小参对集成显卡影响的问题。我觉得这个问题挺有趣，吃了晚饭6点开始就着手测试 玩家俱乐部;xx0B9o:Y-I*^-l[PKo_
玩家俱乐部M)kEf,?H
因为对集成显卡影响最大的是HT频率而非U频率（经过之前多位网友测试），故外频只设为270。玩家俱乐部1J^D@'vW
此时SP2800主频为2161，HT频率1080，内存720，参数调节软件是Memset 3.2，3D测试软件是3Dmark03
QM\rZh.G]0H}0
nvYsS P(A0 在测小参之前，还是要测一测大参，毕竟影响最大的还是大参。
m.h,vcii0 大参顺序为tCL-tRCD-tRP-tRAS-CR
'Z$n@#U:_:x0 玩家俱乐部\b!M%bh$U!j
最开始的默认参数是5-5-5-18 2T，此时成绩是1341（设为初始值）
9de|
pJ/y7s0
sf#Zp%O W[*^i0 第二次设置的参数是优化参数4-4-4-8 1T，成绩提高到了1389，提高48分玩家俱乐部 ^PB'{
b@F.i+h
玩家俱乐部D*FwLG-L o/W)Q
然后再试一试CL值的影响。在4-5-5-18 2T下，成绩为1355，与初始值相比提高14分
w#m0Zu-jjj(p0
q[(g6V,s0 其他大参的单独影响就没测（实在是太费时间了…… ）玩家俱乐部5l p+P5^ X8oFp[p$Ht

w1fS;@
^n\v,s0 下面是重点的小参。
0g@"K-\{0 玩家俱乐部C6L"R"j {f8W5h
根据Memset3.2界面显示，小参有如下选项玩家俱乐部 }
@?1o;yUk

,_^O?/WQ0 Row Cycle time(tRC)   
UA?
ZN+Wo ??A0 调节范围：11~26
4jGu)hrH0 此参数用来控制内存的行周期时间，决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是tRC=tRP+tRAS
[:b`(t$^"Y*[*E0h0`0 玩家俱乐部
tIW/a@)p u!z5\n
Refresh Mode Select   
N],G}4B)K8O8W"Nd0 调节范围：3.9/7.8/15.6us玩家俱乐部0X6O@.uo Ev
中文名称刷新模式选择。由于DRAM保存的内容需要不断刷新才能够保持，因此延长刷新间隔可以提高内存的性能。
v\#? @ nF0 默认值为7.8us，选择15.6us会提高性能
^(i,R%d YH0 玩家俱乐部$i)?`Ae'CY Sb
Ras# to Ras# Delay (tRRD)
T3KV%Y[$Id0 调节范围：2~5玩家俱乐部0t6@G)U X%S+l0@
此参数表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电实现。延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。
!l?.d_QV1[0 玩家俱乐部}X\#[J2a,TN
Read to Precharge  (tRTP)
W[-r)Df2E0 调节范围：2~3
[b7W5{,M4]EX0 内存预充电时间（在网上没找到更全的介绍，有知道的朋友请指教 ）
6RR9V*ma)f.s1l0
MVq ?*HT}%r0 Idle Cycle Limit玩家俱乐部'z?!D!PE
调节范围：0、4、8、16、32、64、128、256玩家俱乐部)z@owv0s
此参数表示强制关闭一个内存页面前的memclock数值，也就是读一个内存页面之前重新充电的最大时间玩家俱乐部vp
K)g/b

VqHmx6^'O Z0 Write Recovery time (tWR)
:[BYOl bS5T0 调节范围：3~6
zC` S8U]VA0 此参数表示在一个内存BANK被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。此延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电。玩家俱乐部v#|q)K5i G7W

wCS%Je_'t8y+N0 Write to Read Delay (tWTR)玩家俱乐部'l
~^,oZ7kb
调节范围：1~3玩家俱乐部o5EZ{'@
此参数控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期

[/o~a,Z4xA-W0
[B)_j2@*F_0 Read to Write Delay (tRTW)玩家俱乐部%@9J4S8C"Bo,q+?L.Z
调节范围：2~9
To6hB^cO0 此参数不是一个标准的内存时序参数，当内存控制器接收到一个读指令后立即又收到一个写指令，在写指令执行之前，会产生一个额外的延迟。
-Jc)^su2UA0
3ikarQ \0 Read/Write Queue Bypass玩家俱乐部`RBf~%A'j
调节范围：2x/4x/8x/16x玩家俱乐部9A t!n&x+J t8Uj6])_
此参数表示在判忧器复写和最后一个操作选择之前，DCI（Device control Interface）的读/写队列的操作时间。默认值16X为性能最好参数。玩家俱乐部&R.@
`-P'p%p.B

VjS
^;|;P%jP-tU5s0 Queue Bypass Max
0N(j4P*sL0 调节范围：1~15
y s \)D2W2EK0 此项参数表示判优器选择否决之前，进入DCQ（Dependence Chain Que）的迂回时间。貌似这个参数会影响内存到CPU的连接。
;g'o0V4UZDNh0
vd
x;C@0 Max. Asynchrone Latency玩家俱乐部"gY A9q9s6Srq
调节范围：1~15us玩家俱乐部 kT)vU)x @ ^;x
还没有任何关于此参数的说明 玩家俱乐部 }-Uf6Y5_

+C!wX3tgu/|0 以上均摘自远望资讯出版的《超频特辑》玩家俱乐部Dli,t4OWhN'BY
估计有些朋友看着该眼晕了吧，说实话我也眼晕 ，而且还没吃透。不过为了测试，也得看着。玩家俱乐部/Zk+G2MP6Xq`%O

T9G.e)SRc.hQ0 不过这么多小参，逐个测了一遍，发现对3D性能有影响的只有三个参数：tRC、tWR和tRTW。
(f(G s$V2O n0 小参测试时大参设定为4-4-4-8 1T，此时的基础分数为1389。玩家俱乐部d`]V,E#VZ&Yu
玩家俱乐部E8[}+Pyf3j
tRC从默认的26设为12，成绩涨到了1420，增加分数31分。与最开始的初始值1341比较，更是增长了79分
.e2z0[;lI)j)f0 可以看出，此参数影响巨大，强烈建议大家调整此参数 玩家俱乐部O
Xo0dAtqx&Q

L`"FV!oI(b5q6`0 在tRC=12的基础上，把tWR从默认的5设为3，成绩为1425，提高了5分
_,U|!K$cy!y(O0 玩家俱乐部{va2A.PP:B%]@
而tRTW有点意思，在只更改此参数的情况下（由4设为3），成绩没有任何提高，而在tWR=3的基础上调整为3时，达到了1429分，整体提高了9分。原以为是误差，就又测了一遍，还是如此。应该是这两个参数有内在联系吧。玩家俱乐部,\%mit2n]cW8^
玩家俱乐部&P
Gk6ldMt
可以看到，小参中除了tRC以外对3D的影响并不大，所以如果想改善集成显卡的3D性能，除了调整那些大参以外，也留意一下tRC吧，调整调整会带来一点看得到的改善呢（分数上的 ）玩家俱乐部%k'd:|9Sz

A^-SN;s%A!\*q0 至此，经过一番优化，分数从最开始的1341提高到1429，总增长88分（数字到挺吉利的）玩家俱乐部_2l'o F_
作为对比，给大家个参考（下面的分数是GPU频率475时的分数，此帖是在425的情况下）：
u;lS$k9^R)L.o^0
vRvOQ bU9L0 CPU频率      HT频率     内存频率    03分数
"GMvL#Ahh0   2000          1000         667         1449
%t aL^M:Pr/~b"T0   2800          1050         700         1530玩家俱乐部T MQz{!Cr
怎么样，稍改改内存比超U来得省事儿吧，而且还省电
#ES2M$Y}9v0 下面上两张图，一个是初始值，一个是最优化后的分值。至于其他过程中的图，用上面的文字就能想像了
P]"r)C:Z6?yM0 玩家俱乐部/@S8p[N
[ 本帖最后由 Star_Sea 于 2007-6-20 21:55 编辑 ]玩家俱乐部_s%Bp2GT2z
玩家俱乐部8m'e1tCm
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1341 5-5-5-18-26 2T.JPG
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