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7025的BIOS超频选项讲解
2007-06-23 15:22:08 / 个人分类：playOC
原本是写在我的试用手记里的，不过那样看起来篇幅过长，因此新开此帖，大家看起来也方便
按DEL进入BIOS，选择OverClock Navigator Engine选项，即进入7025的超频选项
在最上面是OverClock Navigator（超频巡洋舰）选项，其中有三项选择，Normal、Automate Overclock、Manual Overclock
Automate Overclock是映泰给消费者提供的自动超频选项，分为V6、V8、V12三档，分别提高系统性能约5%~10%、15%~25%、25%~35%，很适合不会超频又对系统性能有一定要求的消费者。
不过对于OCER来说，自动档未免太没意思，还是Manual Overclock手动档比较好玩儿。下面就看看手动档都有些什么玩意
BIOS OC界面.jpg
1.CPU Frequency
CPU外频调节选项，范围从200~450。此选项是进入OC领域的敲门砖
2.K8<->NB HT Speed
HT频率调节，有1~5x以及AUTO选项。CPU外频*HT倍频数，就是HT频率。注意超频时尽量不要让HT频率超过1200。
3.K8<->NB HT Width
HT带宽选项。一般来说用AUTO即可，无需改动
4.Onboard GPU over clock
在7025中，此选项有很大的RPWT，因为纯粹是一个摆设，这也是我在超频测试里没有增加集成显卡核心超频测试的原因。以前也听有人抱怨说调节了此选项没有用，我尝试了一次才知到，的确没用。在眼前大家就把此选项当是一项娱乐吧（我在里面把数字调到1000，照样能开机，多帅）。期待映泰更新BIOS……
5.DRAM Configuration
点回车，即进入内存参数调节选项。此选项在后面再分出来细讲
6.CPU Spread Spectum
7.PCIE Spread Spectum
8.SATA Spread Spectum
9.iGPU Spread Spectum
把上面的内容放到一起讲，是因为他们都涉及一个叫做Spread Spectum的概念，关于此概念请看下面：
当主板上的时钟频率振荡发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以，脉冲波的尖峰会衰减为较为平滑的曲线 spread spectrum就是起这个作用的 但是如果您被电磁干扰问题困扰，请将此项设定为Enabled，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，必须将此项禁用。因为即使是0.25%的峰值漂移（抖动）也会引入25MHz（对于1GHz CPU）时钟速度的短暂突发，将会导致您超频的处理器锁死，现在谁不超频的，没有电磁干扰问题发生的话就关掉，开了没什么好处，建议关掉。——摘自百度知道
其实说白了就是OC的时候把这些选项关掉就行了，当然默认就是Disabled。
10.PCIE Clock
PCIE总线的频率，设为默认的100就好，免得拖后腿
11.Timing Mode
选为MaxMemClk可以打开下面的内存频率调节选项
12.Memory Clock Value or Limi
内存分频选项，有DDR 400/533/667/800以及AUTO。其实在AMD系统中内存分频并不是严格按照外频的1:1/1:1.33/1:1.66/1:2的比例分频，而是根据CPU主频除以一个数值来决定内存频率的，上面给的分频比例只是一个参考值，让大家心中有数。因此想玩好AMD系统OC，内存分频的知识是必须要明白的。内存分频的内容网上有很多资料可查，这里就不多说了。
13.CAS Latency
大名鼎鼎的CL值，内存大参数的第一项，选项为2.0~6.0。一般来说4.0就算是不错的参数了，如果能上到3.0，那就是极品。冲击极限，建议设为5.0
14.DRAM Command Mode
首命令延迟选项，就是1T/2T选项。在同频率下，1T性能高于2T，但2T可以冲击更高的频率。大家应该知道怎么做了吧
15.Integated Memory Test
内存综合测试，选择Enabled之后，在下一次开机时进行内存测试，以测试超频后内存的稳定性。
16.CPU Voltage
CPU电压选项。默认值为CPU出厂默认值，如Sempron为1.35。
电压选项是以+0.xxxV的格式给出，如在Sempron的默认电压下+0.150V，当前电压就是1.500v
17.DDR Voltage
内存电压选项。调节范围从1.95~2.50。如果设为高外频，请适当的增加电压，当电压超过2.3时，请使用主动散热手段
18.NB Voltage
北桥电压选项。冲击高外频的时候，请适当增加电压，并选择一款漂亮的北桥散热器
下面看看内存参数调节选项
内存参数调节界面.jpg
我从DDRII Timing Item开始说明，在它以上的选项对超频没有关联，因此就不涉及了（其实是我不懂，无法给大家讲，见谅。在说明中我还将提供对应的MEMSET选项，方便大家调节参数。
1.DDRII Timing Item
选择Enabled，下面的参数就可以调整了
2.TwTr Command Delay
调节范围：1~3
对应MEMSET选项：Write to Read Delay (tWTR)
此参数为小参数，控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。默认值 3
3.Trfc0 for DIMM0
4.Trfc1 for DIMM1
5.Trfc2 for DIMM2
6.Trfc3 for DIMM3
调节选项：75/105/127.5/195/327.5ns
对应MEMSET选项：无
这四个此参数为小参数，在内存调节选项里面，控制CPU与内存(槽)的连接延时。默认是 75ns，OC时适当增加。
7.(Twr) Write Recovery time
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：Write Recovery time (tWR)
此参数为小参数，表示在一个内存BANK被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。此延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电。默认值 6
8.(Trtp) Precharge Time
调节范围：2~3
对应MEMSET选项：Read to Precharge (tRTP)
此参数为小参数，定义为内存预充电时间。默认值 3
9.(Trc) Row Cycle Time
调节范围：11~26
对应MEMSET选项：Row Cycle time(tRC)
此参数为小参数，用来控制内存的行周期时间，决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是tRC=tRP+tRAS。默认值 26
10.(Trcd)RAS to CAS R/W Delay
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：RAS# to CAS# Delay (tRTC)
此参数为大参数，控制内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。在内存参数 5-5-5-15中第二个即为Trcd，属于很重要的参数。默认值 6
11.(Trrd)RAS to RAS Delay
调节范围：2~5
对应MEMSET选项：Ras# to Ras# Delay (tRRD)
此参数为小参数，表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电实现。延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。默认值 5
12.(Trp)Row Precharge Time
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：RAS# Precharge (tRP)
此参数为大参数，用来设定在另一行能被激活之前，RAS（行地址选址）需要的充电时间。在内存参数 5-5-5-15中第三个为Trp。默认值 6
13.(Tras)Minimum RAS Active T
调节范围：5~18
对应MEMSET选项：Precharge Delay (tRAS)
此参数为大参数，用来控制内存最小行地址激活时钟周期数，表示一个行地址从激活到复位的时间。在内存参数 5-5-5-15中第四个为Tras。默认值 18
[ 本帖最后由 Star_Sea 于 2007-6-23 22:28 编辑 ]
按DEL进入BIOS，选择OverClock Navigator Engine选项，即进入7025的超频选项
在最上面是OverClock Navigator（超频巡洋舰）选项，其中有三项选择，Normal、Automate Overclock、Manual Overclock
Automate Overclock是映泰给消费者提供的自动超频选项，分为V6、V8、V12三档，分别提高系统性能约5%~10%、15%~25%、25%~35%，很适合不会超频又对系统性能有一定要求的消费者。
不过对于OCER来说，自动档未免太没意思，还是Manual Overclock手动档比较好玩儿。下面就看看手动档都有些什么玩意
BIOS OC界面.jpg
1.CPU Frequency
CPU外频调节选项，范围从200~450。此选项是进入OC领域的敲门砖
2.K8<->NB HT Speed
HT频率调节，有1~5x以及AUTO选项。CPU外频*HT倍频数，就是HT频率。注意超频时尽量不要让HT频率超过1200。
3.K8<->NB HT Width
HT带宽选项。一般来说用AUTO即可，无需改动
4.Onboard GPU over clock
在7025中，此选项有很大的RPWT，因为纯粹是一个摆设，这也是我在超频测试里没有增加集成显卡核心超频测试的原因。以前也听有人抱怨说调节了此选项没有用，我尝试了一次才知到，的确没用。在眼前大家就把此选项当是一项娱乐吧（我在里面把数字调到1000，照样能开机，多帅）。期待映泰更新BIOS……
5.DRAM Configuration
点回车，即进入内存参数调节选项。此选项在后面再分出来细讲
6.CPU Spread Spectum
7.PCIE Spread Spectum
8.SATA Spread Spectum
9.iGPU Spread Spectum
把上面的内容放到一起讲，是因为他们都涉及一个叫做Spread Spectum的概念，关于此概念请看下面：
当主板上的时钟频率振荡发生器工作时，脉冲的极值（尖峰）会产生EMI（电磁干扰）。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰，所以，脉冲波的尖峰会衰减为较为平滑的曲线 spread spectrum就是起这个作用的 但是如果您被电磁干扰问题困扰，请将此项设定为Enabled，这样可以减少电磁干扰。注意，如果您超频使用，必须将此项禁用。因为即使是0.25%的峰值漂移（抖动）也会引入25MHz（对于1GHz CPU）时钟速度的短暂突发，将会导致您超频的处理器锁死，现在谁不超频的，没有电磁干扰问题发生的话就关掉，开了没什么好处，建议关掉。——摘自百度知道
其实说白了就是OC的时候把这些选项关掉就行了，当然默认就是Disabled。
10.PCIE Clock
PCIE总线的频率，设为默认的100就好，免得拖后腿
11.Timing Mode
选为MaxMemClk可以打开下面的内存频率调节选项
12.Memory Clock Value or Limi
内存分频选项，有DDR 400/533/667/800以及AUTO。其实在AMD系统中内存分频并不是严格按照外频的1:1/1:1.33/1:1.66/1:2的比例分频，而是根据CPU主频除以一个数值来决定内存频率的，上面给的分频比例只是一个参考值，让大家心中有数。因此想玩好AMD系统OC，内存分频的知识是必须要明白的。内存分频的内容网上有很多资料可查，这里就不多说了。
13.CAS Latency
大名鼎鼎的CL值，内存大参数的第一项，选项为2.0~6.0。一般来说4.0就算是不错的参数了，如果能上到3.0，那就是极品。冲击极限，建议设为5.0
14.DRAM Command Mode
首命令延迟选项，就是1T/2T选项。在同频率下，1T性能高于2T，但2T可以冲击更高的频率。大家应该知道怎么做了吧
15.Integated Memory Test
内存综合测试，选择Enabled之后，在下一次开机时进行内存测试，以测试超频后内存的稳定性。
16.CPU Voltage
CPU电压选项。默认值为CPU出厂默认值，如Sempron为1.35。
电压选项是以+0.xxxV的格式给出，如在Sempron的默认电压下+0.150V，当前电压就是1.500v
17.DDR Voltage
内存电压选项。调节范围从1.95~2.50。如果设为高外频，请适当的增加电压，当电压超过2.3时，请使用主动散热手段
18.NB Voltage
北桥电压选项。冲击高外频的时候，请适当增加电压，并选择一款漂亮的北桥散热器
下面看看内存参数调节选项
内存参数调节界面.jpg
我从DDRII Timing Item开始说明，在它以上的选项对超频没有关联，因此就不涉及了（其实是我不懂，无法给大家讲，见谅。在说明中我还将提供对应的MEMSET选项，方便大家调节参数。
1.DDRII Timing Item
选择Enabled，下面的参数就可以调整了
2.TwTr Command Delay
调节范围：1~3
对应MEMSET选项：Write to Read Delay (tWTR)
此参数为小参数，控制写数据到读指令的延迟，它表示在同一BANK中，最近的一次有效写操作到下一次读指令间隔的时钟周期。默认值 3
3.Trfc0 for DIMM0
4.Trfc1 for DIMM1
5.Trfc2 for DIMM2
6.Trfc3 for DIMM3
调节选项：75/105/127.5/195/327.5ns
对应MEMSET选项：无
这四个此参数为小参数，在内存调节选项里面，控制CPU与内存(槽)的连接延时。默认是 75ns，OC时适当增加。
7.(Twr) Write Recovery time
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：Write Recovery time (tWR)
此参数为小参数，表示在一个内存BANK被充电之前，一个有效的写操作完成后延迟的时间。此延迟保证了在充电之前写缓冲里的数据就能被写入内存单元。延迟越短，说明花更少的时间就能对下一次读写操作充电。默认值 6
8.(Trtp) Precharge Time
调节范围：2~3
对应MEMSET选项：Read to Precharge (tRTP)
此参数为小参数，定义为内存预充电时间。默认值 3
9.(Trc) Row Cycle Time
调节范围：11~26
对应MEMSET选项：Row Cycle time(tRC)
此参数为小参数，用来控制内存的行周期时间，决定了完成一个完整的循环所需的最小周期数，也就是tRC=tRP+tRAS。默认值 26
10.(Trcd)RAS to CAS R/W Delay
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：RAS# to CAS# Delay (tRTC)
此参数为大参数，控制内存行地址选通脉冲信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。在内存参数 5-5-5-15中第二个即为Trcd，属于很重要的参数。默认值 6
11.(Trrd)RAS to RAS Delay
调节范围：2~5
对应MEMSET选项：Ras# to Ras# Delay (tRRD)
此参数为小参数，表示连续的激活指令到内存行地址的最小间隔时间，也就是预充电实现。延迟越低，表示下一个BANK能更快地被激活，进行读写操作。默认值 5
12.(Trp)Row Precharge Time
调节范围：3~6
对应MEMSET选项：RAS# Precharge (tRP)
此参数为大参数，用来设定在另一行能被激活之前，RAS（行地址选址）需要的充电时间。在内存参数 5-5-5-15中第三个为Trp。默认值 6
13.(Tras)Minimum RAS Active T
调节范围：5~18
对应MEMSET选项：Precharge Delay (tRAS)
此参数为大参数，用来控制内存最小行地址激活时钟周期数，表示一个行地址从激活到复位的时间。在内存参数 5-5-5-15中第四个为Tras。默认值 18
[ 本帖最后由 Star_Sea 于 2007-6-23 22:28 编辑 ]
论坛模式 推荐 收藏 等级(0) 编辑 管理 查看(544) 评论(10)
TAG:
-
cio发布于2007-06-23 16:24:19
-
写出选项默认值
-
wl-liao发布于2007-06-23 17:19:04
-
xiexie
-
logtemp发布于2007-06-23 17:23:52
-
赫赫，到底是斑竹阿，支持支持。
-
Star_Sea
发布于2007-06-23 22:31:13
-
回复 #2 cio 的帖子
听取你的意见，写了。其实图里就是默认值
-
cio发布于2007-06-24 08:45:40
-
没有注意
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Star_Sea
发布于2007-12-25 13:05:00
-
想起我今年的“大作”，翻出来怀旧一下
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脱氧核糖核酸发布于2007-12-26 12:16:23
-
关于内存的设置,除了
3.Trfc0 for DIMM0
4.Trfc1 for DIMM1
5.Trfc2 for DIMM2
6.Trfc3 for DIMM3
其他能不能给点超频建议?
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Star_Sea
发布于2007-12-26 12:40:57
-
其实其他小参数调一下(Trc) Row Cycle Time就差不多了
剩下的就只能摸索摸索咯
推荐MEMSET来调
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NUMB
发布于2007-12-26 14:53:49
-
楼主用的是什么显示器，貌似边框很薄哦
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Star_Sea
发布于2008-01-01 17:11:28
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回复 10# 的帖子
视觉错误，其实比现在任何一款都要宽
SONY HS53
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- 更新时间: 2008-03-26
